Modeling electron transfer from the barrier in InAs/GaAs quantum dot-well structure
Modeling electron transfer from the barrier in InAs/GaAs quantum dot-well structure
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模拟 InAs/GaAs 量子点阱结构中电子从势垒的转移
DOI：
10.1088/1742-6596/2122/1/012011
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Vlahovic, B
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Filikhin, I;Kuzmichev, Yu B;Mitic, V;Peterson, Th.;Vlahovic, B
研究了InAs/GaAs量子阱和量子点二元结构中势垒的单电子隧穿。隧道描述的本地化/离域状态和它们的光谱分布。模拟是用唯象有效势方法对InAs/GaAs异质结进行的。二维和三维模型的结果。我们重点研究了量子点-量子阱结构变化的影响。示出了与PL实验的关系。
We study single electron tunnelling from the barrier in the binary InAs/GaAs quantum structure including quantum well (QW) and quantum dot (QD). The tunneling is described in the terms of localized/delocalized states and their spectral distribution. The modeling is performed by using the phenomenological efective potential approach for InAs/GaAs heterostructures. The results for the two and three-dimensional models are presented. We focus on the efect of QD-QW geometry variations. The relation to the PL experiments is shown.
影响因子：
3.2
作者：
Guzun, D.;Mazur, Yu. I.;Salamo, G. J.
通讯作者：
Salamo, G. J.
混合隧道耦合点阱结构中的状态填充相关发光
影响因子：
6.7
作者：
Y. I. Mazur;V. G. Dorogan;M. E. Ware;E. Marega;M. Benamara;Z. Y. Zhuchenko;G. G. Tarasov;C. Lienau;G. J. Salamo
通讯作者：
G. J. Salamo
由不确定性原理支持的纳米传感
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
I. Filikhin;A. Karoui;B. Vlahovic
通讯作者：
B. Vlahovic