State filling dependent luminescence in hybrid tunnel coupled dot-well structures.
State filling dependent luminescence in hybrid tunnel coupled dot-well structures.
复制标题
混合隧道耦合点阱结构中的状态填充相关发光
DOI：
10.1039/c2nr32477f
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
6.7
通讯作者：
G. J. Salamo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. I. Mazur;V. G. Dorogan;M. E. Ware;E. Marega;M. Benamara;Z. Y. Zhuchenko;G. G. Tarasov;C. Lienau;G. J. Salamo
在InAs/GaAs-InxGa 1 −xAs/GaAs混合点阱结构中，通过改变量子点（QD）的组分，使量子点的能量通过量子点润湿层（WL）的能量转移，从而建立了量子点-量子阱隧道耦合对能带排列的强烈依赖性。由于这种耦合，发生从QW到QD激发态的快速载流子转移。结果，量子阱光致发光（PL）在低激发强度下完全猝灭。量子阱光致发光的阈值强度强烈依赖于量子阱激子能量相对于WL基态和量子点基态能量的相对位置。随着QW的能量增加到接近WL的能量，这些强度降低了几个数量级，这是由于与低于QW能量的较不密集的QD状态相比，载流子隧穿到WL状态中的效率增加。
A strong dependence of quantum dot (QD)–quantum well (QW) tunnel coupling on the energy band alignment is established in hybrid InAs/GaAs–InxGa1−xAs/GaAs dot–well structures by changing the QW composition to shift the QW energy through the QD wetting layer (WL) energy. Due to this coupling a rapid carrier transfer from the QW to the QD excited states takes place. As a result, the QW photoluminescence (PL) completely quenches at low excitation intensities. The threshold intensities for the appearance of the QW PL strongly depend on the relative position of the QW excitonic energy with respect to the WL ground state and the QD ground state energies. These intensities decrease by orders of magnitude as the energy of the QW increases to approach that of the WL due to the increased efficiency for carrier tunneling into the WL states as compared to the less dense QD states below the QW energy.
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