Current Enhancement in Direct Si-Doped InAs/GaNAs Strain-Compensated Quantum Dot Solar Cells
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直接硅掺杂 InAs/GaNAs 应变补偿量子点太阳能电池的电流增强
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Okada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Shoji;T.Morioka;Y.Okada
直接硅掺杂 InAs/GaNAs 应变补偿量子点太阳能电池的电流增强
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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作者：
Y. Shoji;T. Morioka;and Y. Okada
通讯作者：
and Y. Okada
Si掺杂自组织InAs量子点的光致发光和远红外吸收
影响因子：
4
作者：
J. Phillips;K. Kamath;Xiaoyu Zhou;N. Chervela;P. Bhattacharya
通讯作者：
P. Bhattacharya
用于中能带太阳能电池的直接硅掺杂的多层 InAs/GaNAs 量子点
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
T.Morioka;R.Oshima;A.Takata;Y.Shoji;T.Inoue;T.Kita;Y.Okada
通讯作者：
Y.Okada