CurrentEnhancement in Direct Si-Doped InAs/GaNAs Strain-Compensated Quantum Dot Solar Cells
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直接硅掺杂 InAs/GaNAs 应变补偿量子点太阳能电池的电流增强
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Y. Okada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Shoji;T. Morioka;and Y. Okada
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通讯作者：
P. Bhattacharya
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DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
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Nobuyuki Sano