Optimization of Ga(In)NAs thin film growth by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
Optimization of Ga(In)NAs thin film growth by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
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原子氢辅助分子束外延 Ga(In)NAs 薄膜生长优化
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yoshitaka Okada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yukiko Shimizu;Naoya Miyashita;Yoshitaka Okada
非化学计量 GaAs 中的本征点缺陷分析：退火研究
影响因子：
2.8
作者：
R. Lutz;P. Specht;R. Zhao;O. H. Lam;F. Börner;J. Gebauer;R. Krause;E. Weber
通讯作者：
E. Weber
通过原子氢辅助 RF-MBE 生长 GaInNA
DOI：
10.1016/s0022-0248(02)02331-x
发表时间：
2002
期刊：
International Conference on Molecular Bean Epitaxy
影响因子：
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作者：
A. Ohmae;N. Matsumoto;Y. Okada
通讯作者：
Y. Okada
InGaAsN 中成分波动的近场磁光致发光光谱。
影响因子：
8.6
作者：
A. Mintairov;T. Kosel;J. Merz;P. A. Blagnov;A. Vlasov;V. Ustinov;R. Cook
通讯作者：
R. Cook