Coulomb Blockade and Multiple Andreev Reflection in a Superconducting Single-Electron Transistor
Coulomb Blockade and Multiple Andreev Reflection in a Superconducting Single-Electron Transistor
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超导单电子晶体管中的库仑阻塞和多重安德烈夫反射
DOI：
10.1007/s10909-017-1837-4
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发表时间：
2018
影响因子：
2
通讯作者：
E. Scheer
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Lorenz;S. Sprenger;E. Scheer
在超导量子点接触中，多重Andreev反射（MAR），描述了每个携带电子电荷的m准粒子的相干输运，在电压阈值处开始。然而，在单电子晶体管中，库仑阻塞在低电压下抑制电流。电荷传输所需的电压随着有效电荷的平方而增加。因此，研究全超导单电子晶体管（SSET）中的电荷输运将这两种现象置于竞争之中。在这篇文章中，我们提出了制造以及测量方案和运输数据的SSET与一个结中的传输，从而MAR的贡献可以连续调谐。从弱耦合到强耦合的所有制度都得到了解决。我们扩展了正统的理论，将MAR过程定性地描述所观察到的数据。我们发现一个新的运输过程的性质目前还不清楚。此外，我们观察到一个重整化的充电能量时，接近强耦合制度。
In superconducting quantum point contacts, multiple Andreev reflection (MAR), which describes the coherent transport ofmquasiparticles each carrying an electron charge with, sets in at voltage thresholds. In single-electron transistors, Coulomb blockade, however, suppresses the current at low voltage. The required voltage for charge transport increases with the square of the effective charge. Thus, studying the charge transport in all-superconducting single-electron transistors (SSETs) sets these two phenomena into competition. In this article, we present the fabrication as well as a measurement scheme and transport data for a SSET with one junction in which the transmission and thereby the MAR contributions can be continuously tuned. All regimes from weak to strong coupling are addressed. We extend the Orthodox theory by incorporating MAR processes to describe the observed data qualitatively. We detect a new transport process the nature of which is unclear at present. Furthermore, we observe a renormalization of the charging energy when approaching the strong coupling regime.
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