Ultrashort Pulse and High Power Mode-Locked Laser With Chirped InAs/InP Quantum Dot Active Layers
Ultrashort Pulse and High Power Mode-Locked Laser With Chirped InAs/InP Quantum Dot Active Layers
复制标题
具有啁啾 InAs/InP 量子点有源层的超短脉冲和高功率锁模激光器
DOI：
10.1109/lpt.2016.2561302
复制
发表时间：
2016-07
影响因子：
2.6
通讯作者：
Yang Tao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Gao Feng;Luo Shuai;Ji Hai-Ming;Liu Song-Tao;Xu Feng;Lv Zun-Ren;Lu Dan;Ji Chen;Yang Tao
利用啁啾的多层InAs/InP量子点作为激光器的有源区，实现了超短脉冲高功率单段锁模激光器。啁啾量子点有源区由七层不同高度的InAs量子点组成，这有利于拓宽材料增益谱。在长度为1 mm的器件上获得了脉宽为322 fs的变换限制高斯脉冲。此外，在45.5GHz的锁模激光器中获得了最高峰值功率为6.8W的飞秒脉冲。这些结果表明，锁模激光器在产生1.55 μm波段高重复频率、高高峰功率的飞秒脉冲方面具有很大的潜力。
We demonstrate an ultrashort pulse and high power single-section mode-locked laser using chirped multiple InAs/InP quantum dot (QD) layers as the active region of the laser. The chirped QD active region consists of seven layers of InAs QDs of different heights, which is beneficial in broadening the material gain spectrum. A transform-limited Gaussian pulse with a pulse duration of 322 fs is obtained from a device of 1 mm in length. Moreover, the femtosecond pulse with highest peak power of 6.8 W is achieved for the 45.5-GHz mode-locked laser. These results show the potential of the mode-locked laser for femtosecond pulse generation with high peak power and high repetition rate in the 1.55-μm wavelength band.
登录
查看更多内容
影响因子：
3.6
作者：
Jiaren Liu;Zhenguo Lu;S. Raymond;P. Poole;P. Barrios;D. Poitras
通讯作者：
Jiaren Liu;Zhenguo Lu;S. Raymond;P. Poole;P. Barrios;D. Poitras
影响因子：
3.8
作者：
M. Heck;E. Bente;B. Smalbrugge;Y. Oei;M. Smit;S. Anantathanasarn;R. Nötzel
通讯作者：
M. Heck;E. Bente;B. Smalbrugge;Y. Oei;M. Smit;S. Anantathanasarn;R. Nötzel
影响因子：
1.8
作者：
S. Luo;Ji Haiming;Xiaoguang Yang;Tao Yang
通讯作者：
S. Luo;Ji Haiming;Xiaoguang Yang;Tao Yang
影响因子：
4
作者：
Chia, C. K.;Chua, S. J.;Teo, S. L.
通讯作者：
Teo, S. L.
影响因子：
3.6
作者：
K. Holman;David J. Jones;Jun Ye;E. Ippen
通讯作者：
K. Holman;David J. Jones;Jun Ye;E. Ippen