Improvement of C-aixs preferred orientation of CoCr-based thin film with amorphous Si underlayer
Improvement of C-aixs preferred orientation of CoCr-based thin film with amorphous Si underlayer
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非晶硅底层 CoCr 基薄膜 C 轴择优取向的改进
DOI：
--
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发表时间：
2003
影响因子：
5.4
通讯作者：
K.H.Kim
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y.H.Kim;W.H.Park;S.H.Kong;S.Nakagawa;K.H.Kim
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