Aligned silica nanowires on the inner wall of bubble-like silica film: the growth mechanism and photoluminescence
Aligned silica nanowires on the inner wall of bubble-like silica film: the growth mechanism and photoluminescence
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气泡状二氧化硅薄膜内壁上排列的二氧化硅纳米线：生长机制和光致发光
DOI：
10.1088/0957-4484/17/4/029
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发表时间：
2006-02
期刊：
影响因子：
3.5
通讯作者：
徐亮
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
陈翌庆;周庆涛;蒋海峰;苏勇;肖海花;朱黎昂;徐亮
采用热蒸发法将熔融的镓硅合金置于氨气中，在气泡状二氧化硅薄膜的内壁上生长出大面积、定向排列的非晶二氧化硅纳米线。这些纳米线的直径为10-20 nm，长度为0.5-1.5 µm。
Large area, aligned amorphous silica nanowires grow on the inner wall of bubble-like silica film, which is prepared by thermal evaporation of a molten gallium–silicon alloy in a flow of ammonia. These nanowires are 10–20 nm in diameter and 0.5–1.5 µm in l
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