Semiconductor disk lasers incorporating InP/GaInP quantum dots for 716-755nm emission
Semiconductor disk lasers incorporating InP/GaInP quantum dots for 716-755nm emission
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集成 InP/GaInP 量子点的半导体盘激光器，可实现 716-755nm 发射
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Andrey Krysa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Andrey Krysa
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InP-GaInP 量子点激光器发射波长 690-750 nm
影响因子：
4.9
作者：
P. Smowton;J. Lutti;G. Lewis;A. Krysa;J. Roberts;P. Houston
通讯作者：
P. Houston
半导体盘激光器中可见光的单谐振和频产生。
影响因子：
3.8
作者：
Andersen MT
通讯作者：
Andersen MT
影响因子：
11
作者：
S. Calvez;J. Hastie;M. Guina;O. Okhotnikov;M. Dawson
通讯作者：
S. Calvez;J. Hastie;M. Guina;O. Okhotnikov;M. Dawson
GaAs QD 激光器发射约 740 nm 的低阈值 InP/AlGaInP
影响因子：
1.8
作者：
A. Krysa;S. Liew;J. C. Lin;J. Roberts;J. Lutti;G. Lewis;P. Smowton
通讯作者：
P. Smowton