Dependence of stacking fault and twin densities on deposition conditions during 3C-SiC heteroepitaxial growth on on-axis Si(100) substrates
Dependence of stacking fault and twin densities on deposition conditions during 3C-SiC heteroepitaxial growth on on-axis Si(100) substrates
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在轴上 Si(100) 衬底上进行 3C-SiC 异质外延生长时，堆垛层错和孪晶密度对沉积条件的依赖性
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Okumura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jungheum Yun;T.Takahashi;Y.Ishida;H.Okumura
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DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.389-393.323
发表时间：
2002
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
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