Failure Analysis of a SiC MOS Capacitor with a Poly-Si Gate Electrode
Failure Analysis of a SiC MOS Capacitor with a Poly-Si Gate Electrode
复制标题
多晶硅栅电极 SiC MOS 电容器的失效分析
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.858.485
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Masaaki Niwa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Soshi Sato;Kikuo Yamabe;Tetsuo Endoh;Masaaki Niwa
碳化硅金属氧化物半导体电容器介电击穿过程中形成的地毯式轰炸凹面的多重击穿模型
影响因子：
1.5
作者：
S. Sato;Y. Hiroi;K. Yamabe;M. Kitabatake;T. Endoh;M. Niwa
通讯作者：
M. Niwa
双柱 (FIB–SEM) 晶圆应用
DOI：
--
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
作者：
Robert Krueger
通讯作者：
Robert Krueger
碳化硅金属氧化物半导体电容器介质击穿凹陷形成机理
影响因子：
1.6
作者：
Soshi Sato;Kikuo Yamabe;Tetsuo Endoh;Masaaki Niwa
通讯作者：
Masaaki Niwa