Formation mechanism of concave by dielectric breakdown on silicon carbide metal-oxide-semiconductor capacitor
Formation mechanism of concave by dielectric breakdown on silicon carbide metal-oxide-semiconductor capacitor
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碳化硅金属氧化物半导体电容器介质击穿凹陷形成机理
DOI：
10.1016/j.microrel.2015.09.016
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发表时间：
2016
影响因子：
1.6
通讯作者：
Masaaki Niwa
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Soshi Sato;Kikuo Yamabe;Tetsuo Endoh;Masaaki Niwa
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通过 TEM 研究 nMOSFET 超薄栅极氧化物恒流应力和恒压应力击穿失效机制的相关性
DOI：
10.1016/s0026-2714(03)00261-0
发表时间：
2003
期刊：
Microelectron. Reliab.
影响因子：
--
作者：
K. Pey;C. Tung;M. Radhakrishnan;L. Tang;Y. Sun;X. Wang;W. H. Lin
通讯作者：
W. H. Lin
4H-SiC 外延片中梯形缺陷和钝角三角形缺陷的栅氧化层可靠性
影响因子：
1.5
作者：
O. Ishiyama;Keiichi Yamada;H. Sako;K. Tamura;M. Kitabatake;J. Senzaki;H. Matsuhata
通讯作者：
H. Matsuhata
碳化硅金属氧化物半导体电容器介电击穿过程中形成的地毯式轰炸凹面的多重击穿模型
影响因子：
1.5
作者：
S. Sato;Y. Hiroi;K. Yamabe;M. Kitabatake;T. Endoh;M. Niwa
通讯作者：
M. Niwa
4H-SiC外延表面缺陷与栅氧化层可靠性的关系
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.745
发表时间：
2013
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
J. Sameshima;O. Ishiyama;Atsushi Shimozato;K. Tamura;H. Oshima;T. Yamashita;T. Tanaka;N. Sugiyama;H. Sako;J. Senzaki;H. Matsuhata;M. Kitabatake
通讯作者：
M. Kitabatake
电容器介电薄膜的真空沉积
影响因子：
4
作者：
G. Siddall
通讯作者：
G. Siddall