In-situ analysis of optoelectronic properties of twin boundaries in AlGaAs by polarized cathodoluminescence spectroscopy in a TEM
In-situ analysis of optoelectronic properties of twin boundaries in AlGaAs by polarized cathodoluminescence spectroscopy in a TEM
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利用 TEM 中的偏振阴极发光光谱对 AlGaAs 中孪晶界的光电特性进行原位分析
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Ohno
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Okamoto;D. Ito;K. Onomitsu;H. Yamaguchi;Y.Ohno
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在间接间隙 AlGaAs 外延层中形成多个纳米级孪晶边界，发出强烈的单色光
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
Applied Surface Science 254
影响因子：
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作者：
Y. Ohno;K. Shoda;T. Taishi;I. Yonenaga;S. Takeda
通讯作者：
S. Takeda
通过 TEM 中的偏振阴极发光光谱分析偏振。
DOI：
10.1093/jmicro/51.5.281
发表时间：
2002
期刊：
Journal of electron microscopy
影响因子：
--
作者：
Y. Ohno;S. Takeda
通讯作者：
S. Takeda
分子束外延生长的 GaAs 层中椭圆形缺陷的显微光致发光
影响因子：
4
作者：
J. Kasai;M. Kawata
通讯作者：
M. Kawata
间接间隙 AlGaAs 外延层中多个纳米级双边界的强单色光发射
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys. 46
影响因子：
--
作者：
Y. Ohno;N. Yamamoto;K. Shoda and S. Takeda
通讯作者：
K. Shoda and S. Takeda
影响因子：
64.8
作者：
Franceschetti, A;Zunger, A
通讯作者：
Zunger, A