ULSI reliability through ultraclean processing
ULSI reliability through ultraclean processing
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通过超净处理实现 ULSI 可靠性
DOI：
10.1109/5.220903
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发表时间：
1993
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Ohmi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Ohmi
讨论了超精加工在建立深亚微米ULSI制造先进工艺技术中的重要性。对工艺技术最本质的要求是同时满足超清洁技术的三个原则：超净晶片表面、超净加工环境和完善的工艺参数控制。本文描述了在低动能粒子过程中，通过优化工艺参数，在250℃的温度下生长高结晶度硅外延层，并伴随着原位杂质掺杂。讨论了用于大电流驱动互连形成的先进铜金属化。超清洁氧化以无天然氧化物和表面微观粗糙度为特征，可以形成5~10 nm的高质量、均匀的超薄氧化膜。描述了一种低温退火离子注入技术，它使金属栅自对准MOS大规模集成电路实用化，这对于具有高电流驱动能力的高速CMOS来说是至关重要的。>；
The importance of ultraclean processing in establishing advanced process technologies for deep submicron ULSI fabrication is discussed. The most essential requirement for the process technologies is the simultaneous fulfilment of the three principles of ultraclean technology: ultraclean wafer surface, ultraclean processing environment, and perfect process-parameter control. The growth of high-crystallinity silicon epitaxial layers at temperatures as low as 250 degrees C with accompanying in situ impurity doping as a result of optimizing pertinent process parameters in a low-kinetic-energy particle process is described. Advanced copper metallization for large-current driving interconnect formation is discussed. Ultraclean oxidation, which is characterized by native-oxide-free and surface-microroughness-free oxidation, is confirmed to form high-quality very thin oxide films ranging from 5 to 10 nm with complete uniformity. A low-temperature annealing ion implantation that makes practical a metal gate self-aligned MOS LSI, which is crucial for high-speed CMOS having high current driving capability, is described. >
影响因子：
3.1
作者：
SHIBATA, T;OHMI, T
通讯作者：
OHMI, T
T,Ohmi：“通过低动能粒子轰击形成高质量纯铝薄膜”J.Electrochem.Soc。
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
通讯作者：
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T.Ohmi：“在低能偏压溅射中进一步将外延硅温度降低至250℃的研究”应用物理学杂志。
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作者：
通讯作者：
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