Europium-Doped Gallium Nitride Prepared by Na Flux Method
Europium-Doped Gallium Nitride Prepared by Na Flux Method
复制标题
Na熔剂法制备掺铕氮化镓
DOI：
--
复制
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
山田高広
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
佐藤和久;柳韓蔚;弘津禎彦;南部洋志;山田高広
Eu 掺杂 GaN 的光谱和时间分辨光致发光研究
DOI：
--
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
作者：
E. Nyein;U. Hommerich;J. Heikenfeld;Dong‐Seon Lee;A. Steckl;J. Zavada
通讯作者：
J. Zavada
冻干前驱体制备 Eu3+ 掺杂 GaN 发光半导体及其光谱
影响因子：
3.3
作者：
Abdelouahad El;D. Pérez;P. Núñez;I. R. Martín;V. Lavín;V. D. Rodríguez
通讯作者：
V. D. Rodríguez
通过光致发光和光量热光谱研究掺铕 GaN 的红光发射
影响因子：
1.5
作者：
T. Maruyama;H. Sasaki;S. Morishima;K. Akimoto
通讯作者：
K. Akimoto