D-type Flip-flop Circuit
D-type Flip-flop Circuit
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D型触发器电路
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发表时间：
2019
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通讯作者：
中科院分区：
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采用 SiGe 双极技术的 60 Gbit/s 时分多路复用器，特别注重安装和测量技术
影响因子：
1.1
作者：
M. Moller;H. Rein;A. Felder;T. Meister
通讯作者：
T. Meister
采用基于 InP 的台面 DHBT 技术的 87 GHz 静态分频器
DOI：
10.1109/gaas.2002.1049081
发表时间：
2002
期刊：
24th Annual Technical Digest Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposiu
影响因子：
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作者：
S. Krishnan;Z. Griffith;M. Urteaga;Y. Wei;D. Scott
通讯作者：
D. Scott
采用基于 InP 的 HEMT 技术的 90Gb/s 2:1 多路复用器 IC
DOI：
10.1109/isscc.2002.993001
发表时间：
2002
期刊：
2002 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers (Cat. No.02CH37315)
影响因子：
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作者：
Toshihide Suzuki;Y. Nakasha;Tsuyoshi Takahashi;K. Makiyama;Kenji Imanishi;Tatsuya Hirose;Yuu Watanabe
通讯作者：
Yuu Watanabe
使用 InP/InGaAs 异质结双极晶体管的超高速选择器 IC
影响因子：
1.1
作者：
K. Ishii;K. Murata;M. Ida;K. Kurishima;T. Enoki;T. Shibata;E. Sano
通讯作者：
E. Sano
使用 InAlAs/InGaAs/InP HEMT 的 70 Gbit/s 多路复用器和 50 Gbit/s 决策 IC 模块
影响因子：
0.5
作者：
Murata Koichi;T. Otsuji;E. Sano;S. Kimura;Y. Yamane
通讯作者：
Y. Yamane