Towards intrinsic charge transport in monolayer molybdenum disulfide by defect and interface engineering
Towards intrinsic charge transport in monolayer molybdenum disulfide by defect and interface engineering
复制标题
通过缺陷和界面工程研究单层二硫化钼中的本征电荷传输
DOI：
10.1038/ncomms6290
复制
发表时间：
2014-08
影响因子：
16.6
通讯作者：
Wang, Xinran
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang, Gang;Zhang, Yong Wei;Shi, Yi;Wang, Xinran
二硫化钼被认为是最有前途的电子和光电器件应用的二维半导体之一。到目前为止，单层二硫化钼中的电荷输运由外部因素控制，例如
Molybdenum disulfide is considered as one of the most promising two-dimensional semiconductors for electronic and optoelectronic device applications. So far, the charge transport in monolayer molybdenum disulfide is dominated by extrinsic factors such as
登录
查看更多内容
影响因子：
16.6
作者：
Wenjuan Zhu;T. Low;Yi‐Hsien Lee;Han Wang;D. Farmer;J. Kong;F. Xia;P. Avouris
通讯作者：
Wenjuan Zhu;T. Low;Yi‐Hsien Lee;Han Wang;D. Farmer;J. Kong;F. Xia;P. Avouris
影响因子：
8.6
作者：
Komsa, Hannu-Pekka;Kotakoski, Jani;Krasheninnikov, Arkady V.
通讯作者：
Krasheninnikov, Arkady V.
影响因子：
3.7
作者：
A. Salleo;T. Chen;A. Voelkel;Y. Wu;P. Liu;B. Ong;R. Street
通讯作者：
A. Salleo;T. Chen;A. Voelkel;Y. Wu;P. Liu;B. Ong;R. Street
影响因子：
2.5
作者：
Chakraborty, Biswanath;Matte, H. S. S. Ramakrishna;Rao, C. N. R.
通讯作者：
Rao, C. N. R.
影响因子：
19.6
作者：
Zhang, Yuanbo;Brar, Victor W.;Crommie, Michael F.
通讯作者：
Crommie, Michael F.