Room-Temperature 1.6 µm Electroluminescence from p+-Si/β-FeSi2/n+-Si Diodes on Si(001) without High-Temperature Annealing
Room-Temperature 1.6 µm Electroluminescence from p+-Si/β-FeSi2/n+-Si Diodes on Si(001) without High-Temperature Annealing
复制标题
Si(001) 上 p+-Si/β-FeSi2/n+-Si 二极管的室温 1.6 µm 电致发光，无需高温退火
DOI：
10.1143/apex.1.051405
复制
发表时间：
2008
影响因子：
2.3
通讯作者：
T. Suemasu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Koizumi;S. Murase;M. Suzuno;T. Suemasu
采用分子束外延（MBE）技术，在Si（001）衬底上外延生长了p+-Si/β-FeSi_2（8 nm）/n+-Si（SFS）发光二极管（LED）。1.6首次在室温下实现了未经高温退火的SFS LED的μm电致发光（EL）。
We have epitaxially grown p+-Si/β-FeSi2(8 nm)/n+-Si (SFS) light-emitting diodes (LEDs) on Si(001) substrates by molecular-beam epitaxy (MBE) using Ga-doped p+-Si layers (p∼1019 cm-3). 1.6 µm electroluminescence (EL) was realized at room temperature (RT) for the first time for the SFS LEDs prepared without high-temperature annealing.
影响因子：
4
作者：
M. Jo;K. Ishida;N. Yasuhara;Y. Sugawara;K. Kawamoto;S. Fukatsu
通讯作者：
M. Jo;K. Ishida;N. Yasuhara;Y. Sugawara;K. Kawamoto;S. Fukatsu
影响因子：
4
作者：
H. Udono;I. Kikuma;T. Okuno;Y. Masumoto;H. Tajima
通讯作者：
H. Udono;I. Kikuma;T. Okuno;Y. Masumoto;H. Tajima