Gate voltage dependence of noise distribution in radio-frequency reflectometry in gallium arsenide quantum dots
Gate voltage dependence of noise distribution in radio-frequency reflectometry in gallium arsenide quantum dots
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砷化镓量子点射频反射测量中噪声分布的栅极电压依赖性
DOI：
10.35848/1882-0786/abe41f
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发表时间：
2021
影响因子：
2.3
通讯作者：
Otsuka Tomohiro
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shinozaki Motoya;Muto Yui;Kitada Takahito;Nakajima Takashi;Delbecq Matthieu R.;Yoneda Jun;Takeda Kenta;Noiri Akito;Ito Takumi;Ludwig Arne;Wieck Andreas D.;Tarucha Seigo;Otsuka Tomohiro
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DOI：
10.1103/physrevapplied.4.014018
发表时间：
2015-02
期刊：
arXiv: Mesoscale and Nanoscale Physics
影响因子：
--
作者：
J. Stehlík;Y. Liu;C. Quintana;C. Eichler;T. Hartke;J. Petta
通讯作者：
J. Stehlík;Y. Liu;C. Quintana;C. Eichler;T. Hartke;J. Petta
GaN/AlGaN FET 中量子点形成的沟道长度依赖性
影响因子：
2.3
作者：
Kazuma Matsumura;T. Abe;Takahito Kitada;Takeshi Kumasaka;Norikazu Ito;Taketoshi Tanaka;K. Nakahara;T. Otsuka
通讯作者：
T. Otsuka
影响因子：
4
作者：
Qin, Hua;Williams, David A.
通讯作者：
Williams, David A.
影响因子：
4
作者：
L. Vandersypen;J. Elzerman;R. Schouten;L. V. Beveren;R. Hanson;L. Kouwenhoven
通讯作者：
L. Vandersypen;J. Elzerman;R. Schouten;L. V. Beveren;R. Hanson;L. Kouwenhoven
使用阻抗匹配片上 LC 谐振器在 GHz 频率下测量量子点
DOI：
10.1103/physrevapplied.8.054006
发表时间：
2017
期刊：
arXiv: Quantum Physics
影响因子：
--
作者：
M. Harabula;T. Hasler;G. Fulop;M. Jung;V. Ranjan;C. S. D. O. Physics;U. Basel;82 Klingelbergstrasse;Basel;Switzerland.;D. R. Institute;Dgist;333 TechnoJungang;Hyeongpung;Daegu;J Korea;Quantronics Group;Spec;Cea;Cnrs;U. Paris;C. Saclay;Gif;France.
通讯作者：
France.