Growth of the Full-Scale GaN Single Crystal Substrate Using Na Flux Method
Growth of the Full-Scale GaN Single Crystal Substrate Using Na Flux Method
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使用Na助熔剂法生长全尺寸GaN单晶衬底
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Y. Mori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F. Kawamura;Y. Kitano;M. Tanpo;N. Miyoshi;M. Imade;M. Yoshimura;Y. Kitaoka;T. Sasaki;Y. Mori
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通讯作者：
Mori
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通讯作者：
F.Kawamura