Low Temperature Through-Si Via Fabrication Using Electroless Deposition

Low Temperature Through-Si Via Fabrication Using Electroless Deposition
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使用化学沉积进行低温硅通孔制造

DOI：
--
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
S.Shingubara
S.Shingubara
中科院分区：
--
文献类型：
--
作者：
F.Inoue;H.Philipsen;A.Radisic;S Armini;P.Leunissen;H.Miyake;R.Arima;T.Shimizu;T.Ito;H.Seki;Y.Shinozaki;T.Yamamoto;S.Shingubara

文献摘要

参考文献

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