STFL-DDR: Improving the Energy-Efficiency of Memory Interface
STFL-DDR: Improving the Energy-Efficiency of Memory Interface
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STFL-DDR:提高内存接口的能效
DOI:
10.1109/tc.2020.2978826
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发表时间:
2020
影响因子:
3.7
通讯作者:
Nazm Bojnordi, Mahdi
中科院分区:
文献类型:
--
作者:
Behnam, Payman;Nazm Bojnordi, Mahdi
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DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
2006 IEEE Asian Solid-State Circuits Conference
影响因子:
--
作者:
J. Woo;Hyunjoong Lee;Woo;Heesoo Song;D. Jeong;Suhwan Kim
通讯作者:
Suhwan Kim
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
Micro
影响因子:
--
作者:
Yanwei Song;Engin Ipek
通讯作者:
Engin Ipek
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
2014 IEEE International Symposium on Electromagnetic Compatibility (EMC)
影响因子:
--
作者:
Yujeong Shim;D. Oh;T. Hoang;Y. Ke
通讯作者:
Y. Ke
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
International Symposium on Computer Architecture
影响因子:
--
作者:
Hoseok Seol;Wongyu Shin;Jaemin Jang;Jungwhan Choi;Jinwoong Suh;L. Kim
通讯作者:
L. Kim
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
Ismail Akturk;Ulya R. Karpuzcu
通讯作者:
Ulya R. Karpuzcu