Investigation of machining mechanism of monocrystalline silicon in nanometric grinding
Investigation of machining mechanism of monocrystalline silicon in nanometric grinding
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单晶硅纳米磨削加工机理研究
DOI：
10.1063/1.4983216
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发表时间：
2017-05
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
Liu Sheng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
He Liping;Zhu Fulong;Liu Yuhong;Liu Sheng
单晶硅是计算机工业的基础，因此研究单晶硅的超高精度加工具有重要意义。分子动力学是研究纳米尺度超精密加工的有效方法。脆性材料在纳米级磨削加工中，存在着脆塑转变等独特现象。为研究单晶硅纳米磨削加工机理，采用分子动力学模拟方法研究了不同磨削速度下取向单晶硅亚表面损伤的变化规律。不同原子之间的相互作用用莫尔斯势和泰尔索夫势描述。在分析金刚石工具挤压引起硅晶格滑移和畸变机理的基础上，对磨削过程进行了解释。研究了原子的运动和相变。结果表明，没有足够的时间让工具下方的原子重新排列。
Monocrystalline silicon is the foundation of the computer industry, so it has a great significance to study the ultra-high precision machining of silicon. Molecular dynamics has been proved as a very effective method for the study of ultra-precision machining in nanoscale. During the grinding of brittle materials in nano-level, there are some unique phenomena such as brittle-ductile transition. To study the machining mechanism in nanometric grinding of monocrystalline silicon, the subsurface damage of oriented Monocrystalline silicon under different grinding speeds were investigated by means of molecular dynamics simulations. The interactions between different atoms are described by the Morse and Tersoff potential. Based on analyzing the mechanism of diamond tool extrusion induced silicon lattice slip and distortion, the grinding process is explained. The movement of atoms and phase transformation are studied. The results show that there is not enough time for atoms beneath the tool to rearrange...
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影响因子：
7.3
作者：
Liangchi Zhang;I. Zarudi
通讯作者：
Liangchi Zhang;I. Zarudi
DOI：
10.1002/9780470727133.ch4
发表时间：
2008-03
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Ludwig Reimer;Helmut Kohl
通讯作者：
Ludwig Reimer;Helmut Kohl
DOI：
10.1016/s0921-5093(03)00219-3
发表时间：
2003-09-25
影响因子：
6.4
作者：
Fang, TH;Weng, CI;Chang, JG
通讯作者：
Chang, JG
影响因子：
--
作者：
HONEYCUTT, JD;ANDERSEN, HC
通讯作者：
ANDERSEN, HC
影响因子：
9.4
作者：
A. Mahato;N. Verma;V. Jayaram;S. K. Biswas
通讯作者：
A. Mahato;N. Verma;V. Jayaram;S. K. Biswas