Instability of crystal/melt interface in Si-rich SiGe
Instability of crystal/melt interface in Si-rich SiGe
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富硅 SiGe 中晶体/熔体界面的不稳定性
DOI：
10.1063/1.5038755
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发表时间：
2018
影响因子：
3.2
通讯作者：
S. Uda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Mokhtari;K. Fujiwara;G. Takakura;K. Maeda;H. Koizumi;J. Nozawa;S. Uda
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期刊：
影响因子：
--
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J. Dismukes;W. M. Yim
通讯作者：
W. M. Yim
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DOI：
--
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影响因子：
--
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通讯作者：
W. Schröder
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4
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通讯作者：
K. Fujiwara;M. Tokairin;W. Pan;H. Koizumi;J. Nozawa;S. Uda
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影响因子：
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通讯作者：
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