In-plane misfits' localization in GaN via graphene-ELOG technology
In-plane misfits' localization in GaN via graphene-ELOG technology
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通过石墨烯-ELOG 技术将面内失配定位在 GaN 中
DOI：
10.1039/c8ce02019a
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发表时间：
2019-01
期刊：
影响因子：
3.1
通讯作者：
Ke Xu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yu Xu;Xujun Su;Bing Cao;Zongyao Li;Liu Yi;Demin Cai;Yumin Zhang;Jianfeng Wang;Chinhua Wang;Ke Xu
Due to the lack of native GaN substrate, GaN-based devices are heteroepitaxially grown on foreign substrates.
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影响因子：
3.2
作者：
Xinru Wu;L. M. Brown;D. Kapolnek;S. Keller;B. Keller;S. Denbaars;J. Speck
通讯作者：
Xinru Wu;L. M. Brown;D. Kapolnek;S. Keller;B. Keller;S. Denbaars;J. Speck
影响因子：
17.1
作者：
J. Robinson;X. Weng;K. Trumbull;R. Cavalero;Maxwell T. Wetherington;E. Frantz;M. Labella;Zachary Hughes
通讯作者：
J. Robinson;X. Weng;K. Trumbull;R. Cavalero;Maxwell T. Wetherington;E. Frantz;M. Labella;Zachary Hughes
通过扫描透射电子显微镜识别 GaN 薄膜中的位错和堆垛层错
影响因子：
2.3
作者：
Jicai Zhang;Jinping Zhang;Jianfeng Wang;Ke XU
通讯作者：
Ke XU
影响因子：
4
作者：
R. Puybaret;G. Patriarche;M. Jordan;S. Sundaram;Y. E. Gmili;J. Salvestrini;P. Voss;W. D. Heer;C. Berger;A. Ougazzaden
通讯作者：
R. Puybaret;G. Patriarche;M. Jordan;S. Sundaram;Y. E. Gmili;J. Salvestrini;P. Voss;W. D. Heer;C. Berger;A. Ougazzaden
影响因子：
4
作者：
J. Mei;S. Srinivasan;R. Liu;F. Ponce;Y. Narukawa;T. Mukai
通讯作者：
J. Mei;S. Srinivasan;R. Liu;F. Ponce;Y. Narukawa;T. Mukai