Alpha radiation induced space charge stability effects in semi-insulating silicon carbide semiconductors compared to diamond
Alpha radiation induced space charge stability effects in semi-insulating silicon carbide semiconductors compared to diamond
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与金刚石相比，半绝缘碳化硅半导体中的α辐射引起的空间电荷稳定性效应
DOI：
10.1016/j.diamond.2017.07.010
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发表时间：
2017
影响因子：
4.1
通讯作者：
Hodgson M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hodgson M
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