Adjustable resonance frequency and linewidth by Zr doping in Co thin films
Adjustable resonance frequency and linewidth by Zr doping in Co thin films
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通过在 Co 薄膜中掺杂 Zr 可调节谐振频率和线宽
DOI：
10.1063/1.3260238
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发表时间：
2009-11
影响因子：
3.2
通讯作者：
Fan, Xiaolong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jiang, Changjun;Xue, Desheng;Guo, Dangwei;Fan, Xiaolong
采用射频磁控溅射法在硅衬底上制备了不同Zr组分的Co100− xZrO2（40 nm）薄膜。随着Zr组分的增加，矫顽力降低。在Co100− xZrO2薄膜中存在单轴各向异性，
Co100−xZrx (40 nm) thin films with different Zr compositions were grown on silicon substrates by radio frequency magnetron sputtering. The coercivity decreased with an increase in the Zr composition. A uniaxial anisotropy existed in the Co100−xZrx films,
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影响因子：
2.7
作者：
G. Suran;M. Naili;H. Niedoba;F. Machizaud;O. Acher;D. Pain
通讯作者：
G. Suran;M. Naili;H. Niedoba;F. Machizaud;O. Acher;D. Pain
影响因子：
3.7
作者：
J. Geshev;S. Nicolodi;L. G. Pereira;L. Nagamine;J. E. Schmidt;C. Deranlot;F. Petroff;R. L. Rodríguez-Suárez;A. Azevedo
通讯作者：
J. Geshev;S. Nicolodi;L. G. Pereira;L. Nagamine;J. E. Schmidt;C. Deranlot;F. Petroff;R. L. Rodríguez-Suárez;A. Azevedo
影响因子：
4
作者：
N. N. Phuoc-N.;Feng Xu;C. Ong
通讯作者：
N. N. Phuoc-N.;Feng Xu;C. Ong
影响因子：
3.2
作者：
M. Yamaguchi;K. Suezawa;K. Arai;Y. Takahashi;S. Kikuchi;Y. Shimada;Weidong Li;S. Tanabe;K. Ito
通讯作者：
M. Yamaguchi;K. Suezawa;K. Arai;Y. Takahashi;S. Kikuchi;Y. Shimada;Weidong Li;S. Tanabe;K. Ito
影响因子：
4
作者：
J. F. Sierra;F. Aliev;R. Heindl;S. Russek;W. Rippard
通讯作者：
J. F. Sierra;F. Aliev;R. Heindl;S. Russek;W. Rippard