Effect of the growth mode on the two- to three-dimensional transition of InAs grown on vicinal GaAs(001) substrates
Effect of the growth mode on the two- to three-dimensional transition of InAs grown on vicinal GaAs(001) substrates
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生长模式对邻位 GaAs(001) 衬底上生长的 InAs 二维到三维转变的影响
DOI：
10.1088/0957-4484/18/26/265304
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发表时间：
2007-07
期刊：
影响因子：
3.5
通讯作者：
Jin, P.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jiao, Y.H.;Wu, J.;Lv, X.J.;Wang, Z.G.;Jin, P.
在相邻GaAs（001）衬底上的传统分子束外延（MBE）和迁移率增强外延（MEE）在InAs岛数密度N的变化方面存在一些差异，同时增加了InAs覆盖范围（θ−θc）
Some differences were observed between conventional molecular-beam epitaxy (MBE) and mobility enhanced epitaxy (MEE) of InAs on a vicinal GaAs(001) substrate in the variation of the number density N of the InAs islands, with additional InAs coverage (θ−θc
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影响因子：
8.6
作者：
WITTEN, TA;SANDER, LM
通讯作者：
SANDER, LM
DOI：
10.1524/zpch.1996.193.part_1_2.218a
发表时间：
1996
期刊：
Zeitschrift für Physikalische Chemie
影响因子：
--
作者：
G. Vojta
通讯作者：
G. Vojta
影响因子：
4
作者：
Placidi, E;Arciprete, F;Balzarotti, A
通讯作者：
Balzarotti, A
影响因子：
1.6
作者：
F. Family
通讯作者：
F. Family
影响因子：
8.6
作者：
Ebiko, Y;Muto, S;Yokoyama, N
通讯作者：
Yokoyama, N