Gate defined quantum dot realized in a single crystalline InSb nanosheet
Gate defined quantum dot realized in a single crystalline InSb nanosheet
复制标题
在单晶 InSb 纳米片中实现门定义的量子点
DOI：
10.1063/1.5064368
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发表时间：
2018-10
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H. Q. Xu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jianhong Xue;Yuanjie Chen;Dong Pan;Ji-Yin Wang;Jianhua Zhao;Shaoyun Huang;H. Q. Xu
InSb单晶纳米片是一种新兴的平面半导体材料，在电子学、红外光电子学、自旋电子学和拓扑量子计算等领域具有潜在的应用前景。在这里，我们报告了量子点器件的实现，
Single crystalline InSb nanosheet is an emerging planar semiconductor material with potential applications in electronics, infrared optoelectronics, spintronics and topological quantum computing. Here we report on realization of a quantum dot device from
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