Evidence of the side jump mechanism in the anomalous Hall effect in paramagnets
Evidence of the side jump mechanism in the anomalous Hall effect in paramagnets
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顺磁体反常霍尔效应中侧跳机制的证据
DOI：
10.1209/0295-5075/110/27002
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发表时间：
2014-04
期刊：
影响因子：
1.8
通讯作者：
Jin Xiaofeng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Li Yufan;Hou Dazhi;Ye Li;Tian Yuan;Xu Jianli;Su Gang;Jin Xiaofeng
铁磁体反常霍尔效应的本征机制（Berry曲率）和侧跳机制一直存在混淆。我们提供了明确的识别的侧跳机制，除了斜散射的贡献在外延顺磁性Ni34Cu66薄膜，其中的内在贡献是由定义排除。此外，AHE的温度依赖性进一步揭示了侧跳机制是由弹性散射占主导地位。
Persistent confusion has existed between the intrinsic (Berry curvature) and the side jump mechanisms of anomalous Hall effect (AHE) in ferromagnets. We provide unambiguous identification of the side jump mechanism, in addition to the skew scattering contribution in epitaxial paramagnetic Ni34Cu66 thin films, in which the intrinsic contribution is by definition excluded. Furthermore, the temperature dependence of the AHE further reveals that the side jump mechanism is dominated by the elastic scattering.
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DOI：
10.1209/0295-5075/103/47003
发表时间：
2013-08
期刊：
Europhysics Letters
影响因子：
--
作者：
O. Sushkov;A. Milstein;M. Mori;S. Maekawa
通讯作者：
O. Sushkov;A. Milstein;M. Mori;S. Maekawa
影响因子：
8.6
作者：
Jungwirth, T;Niu, Q;MacDonald, AH
通讯作者：
MacDonald, AH
影响因子：
3.7
作者：
Crépieux, A;Bruno, P
通讯作者：
Bruno, P
DOI：
10.1002/9781119562269.ch2
发表时间：
2020-11
期刊：
Magnetic Memory Technology
影响因子：
--
作者：
D. Tang;C. Pai
通讯作者：
D. Tang;C. Pai
DOI：
10.1143/jpsj.81.083704
发表时间：
2011-09
期刊：
arXiv: Strongly Correlated Electrons
影响因子：
--
作者：
A. Shitade;N. Nagaosa
通讯作者：
A. Shitade;N. Nagaosa