Lithographically-defined silicon few-electron quantum dots fabricated on a silicon-on-insulator substrate
Lithographically-defined silicon few-electron quantum dots fabricated on a silicon-on-insulator substrate
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在绝缘体上硅基板上制造的光刻定义的硅少电子量子点
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K.Horibe,T.Kodera,T.Kambara,Y.Kawano,K.Uchida,S.Oda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Kato;Y. Watanabe;Y. Kurokawa;A. Yamada;Y. Ohta;Y. Niwa;M. Hirota;K.Horibe,T.Kodera,T.Kambara,Y.Kawano,K.Uchida,S.Oda
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影响因子：
3.7
作者：
Abe, E;Itoh, KM;Yamasaki, S
通讯作者：
Yamasaki, S
影响因子：
38.3
作者：
Kawakami, E.;Scarlino, P.;Vandersypen, L. M. K.
通讯作者：
Vandersypen, L. M. K.
影响因子：
19.6
作者：
Pioro-Ladriere, M.;Obata, T.;Tarucha, S.
通讯作者：
Tarucha, S.
4. 5 K 工作温度下不对称硅双量子点点间静电耦合的控制
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
Appl. Phys. Express 2
影响因子：
--
作者：
G. Yamahata;Y. Tsuchiya;H. Mizuta;K. Uchida;S. Oda
通讯作者：
S. Oda
影响因子：
56.9
作者：
Petta, JR;Johnson, AC;Gossard, AC
通讯作者：
Gossard, AC