Simple estimation of strain distribution in narrow-stripe waveguide array fabricated by selective MOVPE
Simple estimation of strain distribution in narrow-stripe waveguide array fabricated by selective MOVPE
复制标题
选择性 MOVPE 制造的窄带波导阵列应变分布的简单估计
DOI：
--
复制
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K.Shimomura
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T.Yoshioka;Y.Kawakita;A.Kawai;T.Okawa;K.Shimomura
登录
查看更多内容
(100) (Si)/(Ge) 应变层超晶格的电子特性。
DOI：
10.1103/physrevb.38.13237
发表时间：
1988
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
S. Satpathy;Richard M. Martin;C. G. V. D. Walle
通讯作者：
C. G. V. D. Walle
用于高质量 InGaAsP/InGaAsP MQW 的迁移控制窄带选择性 MOVPE
影响因子：
1.8
作者：
K. Kudo;Tatsuya Sasaki;M. Yamaguchi
通讯作者：
M. Yamaguchi
基于选择性生长GaInAs/InP MQW结构的可变折射率波导阵列中的波长解复用和光偏转器，
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
IEICE Trans.Electron. vol.E88-C, no.5
影响因子：
--
作者：
Y.Kawakita;S.Shimotaya;D.Machida;K.Shimomura
通讯作者：
K.Shimomura
微阵列选择性外延制备密集阵列八波长半导体激光器
影响因子：
4.9
作者：
K. Kudo;Y. Furushima;T. Nakazaki;M. Yamaguchi
通讯作者：
M. Yamaguchi
使用具有亚毫米空间分辨率的微区 X 射线衍射方法测量 InGaAsP 选择性区域生长层中的应变分布
DOI：
--
发表时间：
2002
期刊：
Japan. J. Appl. Phys. 41
影响因子：
--
作者：
S.Kimura;Y.Kagoshima;K.Kobayashi;K.Izumi;Y.Sakata;S.Sudo;K.Yokoyama;T.Niimi;Y.Tsusaka;J.Matsui
通讯作者：
J.Matsui