Internal and external field effects on radiative recombination efficiency in InGaN quantum well diodes
Internal and external field effects on radiative recombination efficiency in InGaN quantum well diodes
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InGaN量子阱二极管的内场和外场效应对辐射复合效率的影响
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Fujiwara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Aizawa;K.Soejima;A.Hori;A.Satake;K.Fujiwara
影响因子：
1.9
作者：
Kneissl, M.;Kolbe, T.;Weyers, M.
通讯作者：
Weyers, M.
影响因子：
4
作者：
Wu, Yuh-Renn;Shivaraman, Ravi;Speck, James S.
通讯作者：
Speck, James S.
影响因子：
4
作者：
Bellaiche, L;Mattila, T;Zunger, A
通讯作者：
Zunger, A