High-Power Sub-300-Femtosecond Quantum Dot Semiconductor Disk Lasers
High-Power Sub-300-Femtosecond Quantum Dot Semiconductor Disk Lasers
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高功率低于 300 飞秒量子点半导体盘激光器
DOI：
10.1109/lpt.2018.2801024
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发表时间：
2018
影响因子：
2.6
通讯作者：
U. Keller
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
C. G. E. Alfieri;D. Waldburger;M. Golling;U. Keller
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非辐射载流子损耗对脉冲和连续 VECSEL 性能的影响
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
Other Conferences
影响因子：
--
作者：
A. Laurain;J. Hader;Y. Lai;Tsuei;M. Yarborough;G. Balakrishnan;T. Rotter;P. Ahirwar;J. Moloney
通讯作者：
J. Moloney
量子点半导体盘激光器的温度稳定运行
影响因子：
4
作者：
T. Germann;A. Strittmatter;J. Pohl;U. W. Pohl;D. Bimberg;J. Rautiainen;M. Guina;O. Okhotnikov
通讯作者：
O. Okhotnikov
影响因子：
3.4
作者：
F. Voigt;F. Emaury;P. Bethge;D. Waldburger;S. Link;Stefano Carta;Alexander van der Bourg;F. Helmchen;U. Keller
通讯作者：
F. Voigt;F. Emaury;P. Bethge;D. Waldburger;S. Link;Stefano Carta;Alexander van der Bourg;F. Helmchen;U. Keller
经过实验验证的高功率飞秒 VECSEL 脉冲形成模型
DOI：
10.1007/s00340-013-5449-7
发表时间：
2013
期刊：
Applied Physics B
影响因子：
--
作者：
O. Sieber;M. Hoffmann;V. Wittwer;M. Mangold;M. Golling;B. Tilma;T. Südmeyer;U. Keller
通讯作者：
U. Keller
超过8W高功率量子点垂直外腔面发射激光器
影响因子：
2.6
作者：
Dalia Al Nakdali;M. Shakfa;M. Gaafar;M. Butkus;K. Fedorova;Modestas Zulonas;M. Wichmann;Fan Zhang;B. Heinen;A. Rahimi‐Iman;W. Stolz;E. Rafailov;M. Koch
通讯作者：
M. Koch