Strain Effects on Electronic Properties of Boron Nitride Nanoribbons
Strain Effects on Electronic Properties of Boron Nitride Nanoribbons
复制标题
应变对氮化硼纳米带电子性能的影响
DOI：
10.1088/0256-307x/27/7/077101
复制
发表时间：
2010-07
影响因子：
3.5
通讯作者：
S. Li-Zhong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Z. Jian-Xin;L. Jin;S. Li-Zhong
采用第一性原理计算方法研究了应变对氮化硼纳米带电子性质的影响。结果表明，随着应变的增加，扶手椅型和锯齿型BNRs的能隙逐渐减小。随着应变的增加，Z-BNNRs的能隙随着宽度的增加而迅速减小，并显著减小到很小的值，这使得Z-BNNRs从宽禁带半导体转变为窄禁带半导体。
We investigate the strain effects on the electronic properties of boron nitride nanoribbons (BNNRs) by using first-principles calculations. The results show that the energy gap of BNNRs with both armchair edges (A-BNNRs) and zigzag edges (Z-BNNRs) decreases as the strain increases. As strain increases, the energy gaps of Z-BNNRs decrease rapidly as the width increases and reduce significantly to small values, which makes Z-BNNRs change from wide-gap to narrow-gap semiconductors.
登录
查看更多内容
脉冲电子辐照在 SiC (0001) 上外延石墨烯的拉曼光谱
影响因子：
3.5
作者：
Huang Qing-Song;Guo Li-Wei;Wang Wen-Jun;Wang Gang;Wang Wan-Yan;Jia Yu-Ping;Lin Jing-Jing;Li Kang;Chen Xiao-Long
通讯作者：
Chen Xiao-Long
碳纳米管/纳米铁磁性复合材料的合成及性能
影响因子：
3.5
作者：
Jin Chang-Qing;Ye Xiao-Juan;Deng Yu;Au Chaktong;Qi Xiao-Si;Yang Zai-Xing;Xu Mei-Hua;Zhong Wei;Du You-Wei
通讯作者：
Du You-Wei
影响因子：
56.9
作者：
Wang, Xinran;Li, Xiaolin;Dai, Hongjie
通讯作者：
Dai, Hongjie
影响因子：
3.7
作者：
Kresse, G;Furthmuller, J
通讯作者：
Furthmuller, J
影响因子：
3.5
作者：
Chen Xiao;Ao Ling
通讯作者：
Chen Xiao;Ao Ling