Experimental demonstration of single electron transistors featuring SiO2 plasma-enhanced atomic layer deposition in Ni-SiO2-Ni tunnel junctions
Experimental demonstration of single electron transistors featuring SiO2 plasma-enhanced atomic layer deposition in Ni-SiO2-Ni tunnel junctions
复制标题
Ni-SiO2-Ni 隧道结中 SiO2 等离子体增强原子层沉积单电子晶体管的实验演示
DOI：
10.1116/1.4935960
复制
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Snider, Gregory L.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Karbasian, Golnaz;McConnell, Michael S.;Orlov, Alexei O.;Rouvimov, Sergei;Snider, Gregory L.
登录
查看更多内容
隧道势垒原子层沉积纳米镶嵌金属单电子晶体管的制备
DOI：
10.1116/1.4932156
发表时间：
2015
期刊：
and Phenomena
影响因子：
--
作者：
Karbasian, Golnaz;Orlov, Alexei O.;Snider, Gregory L.
通讯作者：
Snider, Gregory L.
使用电子束光刻和溶剂显影剂实现聚甲基戊二酰亚胺的高纵横比特征
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
G. Karbasian;P. Fay;H. Xing;D. Jena;A. Orlov;G. Snider
通讯作者：
G. Snider
用于太赫兹和红外检测的 Ni-NiO-Ni 隧道结。
影响因子：
1.9
作者：
P. Hobbs;R. Laibowitz;F. Libsch
通讯作者：
F. Libsch
金属-电介质扩散过程：基础知识
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. He;T. Lu
通讯作者：
T. Lu
在透射电子显微镜下对固体氧化物燃料电池中的镍进行原位还原和氧化
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
--
作者：
A. Faes;Q. Jeangros;J. Wagner;T. Hansen;J. herle;A. Brisse;R. Dunin‐Borkowski;A. Hessler
通讯作者：
A. Hessler