Fabrication of nanodamascene metallic single electron transistors with atomic layer deposition of tunnel barrier
Fabrication of nanodamascene metallic single electron transistors with atomic layer deposition of tunnel barrier
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隧道势垒原子层沉积纳米镶嵌金属单电子晶体管的制备
DOI：
10.1116/1.4932156
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Snider, Gregory L.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Karbasian, Golnaz;Orlov, Alexei O.;Snider, Gregory L.
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G. Snider
DOI：
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发表时间：
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Yen