Spontaneous formation of highly regular superlattice structure in InGaN epilayers grown by molecular beam epitaxy
Spontaneous formation of highly regular superlattice structure in InGaN epilayers grown by molecular beam epitaxy
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分子束外延生长的 InGaN 外延层自发形成高度规则的超晶格结构
DOI：
10.1063/1.3574607
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发表时间：
2011-04
影响因子：
4
通讯作者：
Amano, H.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wu, Z. H.;Kawai, Y.;Fang, Y. -Y.;Chen, C. Q.;Kondo, H.;Hori, M.;Honda, Y.;Yamaguchi, M.;Amano, H.
在这篇论文中，我们研究了等离子体辅助分子束外延在GaN上生长的InGaN厚层的结构特性，生长速率分别为1.0和3.6 A/s。发现在3.6 A/s下生长的薄膜自发形成了高度规则的超晶格（SL）结构，而在1.0 A/s下生长的薄膜则没有。更快生长的薄膜也表现出更好的结构质量，这可能是由于动力学限制导致的表面粗糙度抑制，以及在自发形成的SL结构中抑制Frank-Read位错生成机制。
In this letter, we have investigated the structural properties of thick InGaN layers grown on GaN by plasma-assisted molecular beam epitaxy, using two growth rates of 1.0 and 3.6 A/s. A highly regular superlattice (SL) structure is found to be spontaneously formed in the film grown at 3.6 A/s but not in the film grown at 1.0 A/s. The faster grown film also exhibits superior structural quality, which could be due to the surface roughness suppression caused by kinetic limitation, and the inhibition of the Frank–Read dislocation generation mechanism within the spontaneously formed SL structure.
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