Electrical behavior of implanted aluminum and boron near tail region in 4H-SiC after high-temperature annealing
Electrical behavior of implanted aluminum and boron near tail region in 4H-SiC after high-temperature annealing
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高温退火后4H-SiC尾部附近注入铝和硼的电学行为
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Matsunami
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Negoro;T.Kimoto;H.Matsunami
影响因子：
4
作者：
H. Bracht;N. Stolwijk;M. Laube;G. Pensl
通讯作者：
G. Pensl
影响因子：
1.5
作者：
OKUSHI, H;TOKUMARU, Y
通讯作者：
TOKUMARU, Y
使用石墨帽的磷离子注入 4H-SiC(0001) 高温退火后的平坦表面
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.457-460.933
发表时间：
2004
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
Y. Negoro;K. Katsumoto;T. Kimoto;H. Matsunami
通讯作者：
H. Matsunami