Room temperature electroluminescence from arsenic doped p-type ZnO nanowires/n-ZnO thin film homojunction light-emitting diode
Room temperature electroluminescence from arsenic doped p-type ZnO nanowires/n-ZnO thin film homojunction light-emitting diode
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砷掺杂p型ZnO纳米线/n-ZnO薄膜同质结发光二极管的室温电致发光
DOI：
10.1007/s10854-014-1828-z
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发表时间：
2014-03
影响因子：
2.8
通讯作者：
Du, Guotong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xu, Kun;Tao, Pengcheng;Chen, Yuanpeng;Du, Guotong
摘要在半绝缘硅衬底上制备了高度排列的砷掺杂p-ZnO纳米线/n-ZnO薄膜同质结发光二极管。该异质结由金属有机物化学气相生长的高质量n-ZnO薄膜构成
Abstract The highly arrayed arsenic doped p-ZnO nanowires/n-ZnO thin film homojunction light-emitting diode was fabricated on semi-insulated Si substrate. The homojunction was consisted of high-quality n-ZnO thin film grown by metal–organic chemical vapor
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通讯作者：
Qiu-Ju 秋菊 Feng 冯;Jun-Yan 俊岩 Jiang 蒋;Peng-Cheng 鹏程 Tao 陶;Shuang 爽 Liu 刘;Rui-Zhuo 瑞卓 Xu 许;Meng-Ke 梦轲 Li 李;J. Sun 孙