Tailored porous silicon microparticles: fabrication and properties.
Tailored porous silicon microparticles: fabrication and properties.
复制标题
DOI：
10.1002/cphc.200900914
复制
发表时间：
2010-04-06
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Ferrari M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chiappini C;Tasciotti E;Fakhoury JR;Fine D;Pullan L;Wang YC;Fu L;Liu X;Ferrari M
介孔硅颗粒由于其生物可降解性和生物相容性而被广泛用于药物递送。在微观和纳米尺度上定制多孔硅的物理化学性质的能力赋予了这种材料的多功能性。我们提出了一种通过电化学蚀刻有图案的硅沟槽来制造具有可控物理特性的高可重复性、单分散的介孔硅颗粒的方法。我们定制了微米级的粒径和纳米级的孔径，从管状到盘状再到半球形，孔隙率从46%到80%以上。此外，我们将多孔基质的性质与模型纳米颗粒（q点）的负载联系起来，并通过透射电子显微镜断层扫描观察了它们在基质中的三维排列。本研究开发的方法为根据合理设计治疗载体的原则制备介孔硅颗粒和表征纳米颗粒在多孔基质中的分布提供了有效的手段
The use of mesoporous silicon particles for drug delivery has been widely explored thanks to their biodegradability and biocompatibility. The ability to tailor the physicochemical properties of porous silicon at the micro and nano scale confers versatility to this material. We present a method for the fabrication of highly reproducible, monodisperse mesoporous silicon particles with controlled physical characteristics through electrochemical etch of patterned silicon trenches. We tailored particle size in the micrometer range and pore size in the nanometer range, shape from tubular to discoidal to hemispherical, and porosity from 46% to over 80%. In addition, we correlated the properties of the porous matrix with the loading of model nanoparticles (Q-dots) and observed their three-dimensional arrangement within the matrix by transmission electron microscopy tomography. The methods developed in this study provide effective means to fabricate mesoporous silicon particles according to the principles of rational design for therapeutic vectors and to characterize the distribution of nanoparticles within the porous matrix
登录
查看更多内容
影响因子：
14
作者：
Decuzzi, Paolo;Ferrari, Mauro
通讯作者：
Ferrari, Mauro
影响因子：
29.4
作者：
Canham, LT
通讯作者：
Canham, LT
影响因子：
14
作者：
Low, Suet Peng;Williams, Keryn A.;Voelcker, Nicolas H.
通讯作者：
Voelcker, Nicolas H.
影响因子：
2.8
作者：
Kübel, C;Voigt, A;Bradley, J
通讯作者：
Bradley, J
影响因子：
10.8
作者：
Salonen, J;Laitinen, L;Lehto, VP
通讯作者：
Lehto, VP