Formation and properties of InGaN QDs: Influence of substrates
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InGaN QD 的形成和性能：衬底的影响
DOI：
10.1063/1.5053856
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发表时间：
2019
影响因子：
4
通讯作者：
Goldman, R. S.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chang, A. S.;Walrath, J. C.;Frost, T.;Greenhill, C.;Occena, J.;Hazari, A.;Bhattacharya, P.;Goldman, R. S.
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--
发表时间：
2007
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通讯作者：
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通讯作者：
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