Experimental and theoretical study of fT for SiGe HBTs with a scaled vertical doping profile
Experimental and theoretical study of fT for SiGe HBTs with a scaled vertical doping profile
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具有缩放垂直掺杂分布的 SiGe HBT 的 fT 实验和理论研究
DOI：
10.1109/bctm.2015.7340586
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M. Schroter
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Korn;H. Ruecker;B. Heinemann;A. Pawlak;G. Wedel;M. Schroter
基于 TCAD 的高速 SiGe HBT 路线图
DOI：
10.1109/sirf.2014.6828505
发表时间：
2014
期刊：
2014 IEEE 14th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in Rf Systems
影响因子：
--
作者：
M. Schroter;T. Rosenbaum;S. Voinigescu;P. Chevalier
通讯作者：
P. Chevalier
SiGe HBT 在室温下具有 fT ≫400GHz
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
2008 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
影响因子：
--
作者：
B. Geynet;P. Chevalier;B. Vandelle;F. Brossard;N. Zerounian;M. Buczko;D. Gloria;F. Aniel;G. Dambrine;F. Danneville;D. Dutartre;A. Chantre
通讯作者：
A. Chantre