Investigation of growth parameters for ScAlN-barrier HEMT structures by plasma-assisted MBE
Investigation of growth parameters for ScAlN-barrier HEMT structures by plasma-assisted MBE
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通过等离子体辅助 MBE 研究 ScAlN 势垒 HEMT 结构的生长参数
DOI：
10.7567/1347-4065/ab124f
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发表时间：
2019
影响因子：
1.5
通讯作者：
M. Fiederle
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Frei;R. Trejo-Hernández;S. Schütt;L. Kirste;M. Prescher;R. Aidam;S. Müller;P. Waltereit;O. Ambacher;M. Fiederle
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通过等离子体辅助分子束外延在 4 英寸 SiC 上重复且均匀地生长基于 GaN 的 HEMT，适合生产
DOI：
10.1002/pssa.201026020
发表时间：
2010
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
--
作者：
R. Aidam;P. Waltereit;L. Kirste;M. Dammann;R. Quay
通讯作者：
R. Quay
用于高度可扩展的 GaN 基晶体管结构的近晶格匹配 AlGaInN 势垒设计
DOI：
10.1002/pssc.200983530
发表时间：
2010
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
作者：
T. Lim;R. Aidam;L. Kirste;P. Waltereit;S. Müller;O. Ambacher
通讯作者：
O. Ambacher
InN 和 InN:Mg 层的分子束外延
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
金佑彊;忻宇飛;金栄現;金相賢;長田剛規;秦雅彦;竹中充;高木信一;太田 淳 (分担執筆);Xinqiang Wang
通讯作者：
Xinqiang Wang
假晶外延 ScxAl1-xN/InyAl1-yN 超晶格中纤锌矿 Sc0.4Al0.6N 的稳定化
影响因子：
9.4
作者：
A. Žukauskaitė;C. Tholander;F. Tasnádi;B. Alling;J. Palisaitis;Jun Lu;P. Persson;L. Hultman;J. Birch
通讯作者：
J. Birch
分子束外延生长GaN过程中表面形貌的均匀性和控制
影响因子：
1.4
作者：
C. Poblenz;P. Waltereit;J. Speck
通讯作者：
J. Speck