High-Power Asymmetrical Three-Way GaN Doherty Power Amplifier at C-Band Frequencies
High-Power Asymmetrical Three-Way GaN Doherty Power Amplifier at C-Band Frequencies
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C 频段高功率非对称三路 GaN Doherty 功率放大器
DOI：
10.23919/eumc.2018.8541756
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
O. Ambacher
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
E. Derguti;E. Ture;S. Krause;D. Schwantuschke;R. Quay;O. Ambacher
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适用于 LTE 应用的使用双 CRLH-TL 的高效 F 类功率放大器
DOI：
10.1109/icept.2014.6922886
发表时间：
2014
期刊：
2014 15th International Conference on Electronic Packaging Technology
影响因子：
--
作者：
Xian;Yonglun Luo;Y. Zhang;Xiaolei Ma;Pu;Long Chen
通讯作者：
Long Chen
单输入和双输入封装 5.5–6.5GHz、20W、准 MMIC GaN-HEMT Doherty 功率放大器
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
Intelligent Memory Systems
影响因子：
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作者：
M. Ayad;E. Byk;G. Neveux;M. Camiade;D. Barataud
通讯作者：
D. Barataud
高效、高击穿 AlGaN/GaN HEMT，寿命超过 20 年
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
Device Research Conference
影响因子：
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作者：
P. Waltereit;W. Bronner;R. Quay;M. Dammann;S. Muller;M. Mikulla;F. van Rijs;T. Rodle;K. Riepe
通讯作者：
K. Riepe
适用于 6 GHz 应用的谐波调谐 GaN-HEMT Doherty 功率放大器
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
European Microwave Integrated Circuits Conference
影响因子：
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作者：
D. Gruner;K. Bathich;A. A. Tanany;Georg Boeck
通讯作者：
Georg Boeck
基于 GaN 的宽带开关模式核心 MMIC，在 UHF 下工作时具有 20 W 输出功率
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
2011 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS)
影响因子：
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作者：
S. Maroldt;R. Quay;C. Haupt;O. Ambacher
通讯作者：
O. Ambacher