Ternary Mn3NMn1−xAgx compound films of nearly constant electrical resistivity and their magnetic transport behaviour
Ternary Mn3NMn1−xAgx compound films of nearly constant electrical resistivity and their magnetic transport behaviour
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电阻率几乎恒定的三元Mn3NMn1-xAgx化合物薄膜及其磁输运行为
DOI：
10.1088/0022-3727/49/4/045308
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发表时间：
2016-02
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
A. L. Ji
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
N.P. LU;T. Xu;Z.X.Cao;A. L. Ji
反钙钛矿Mn 3 NMn 1 −xAgx？>采用反应磁控溅射法成功地制备了SiO2薄膜。Ag原子在立方Mn_3NMn晶格的MnA位上的取代增加导致金属-半导体转变，通过该转变，
Antiperovskite Mn3NMn1−xAgx ?> thin films were successfully prepared by reactive magnetron sputtering. The increasing substitution of Ag atoms at the MnA-sites of cubic Mn3NMn lattice leads to the metal-to-semiconductor transition, through which a vanishi
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