Effects of thin heavily Mg-doped GaN capping layer on ohmic contact formation of p-type GaN
Effects of thin heavily Mg-doped GaN capping layer on ohmic contact formation of p-type GaN
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薄重镁掺杂 GaN 覆盖层对 p 型 GaN 欧姆接触形成的影响
DOI：
10.1088/0268-1242/28/10/105020
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发表时间：
2013-10
影响因子：
1.9
通讯作者：
Yang, H.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhu, J. J.;Wang, H.;Zhang, B. S.;Yang, H.
研究了薄重镁掺杂GaN盖层的生长条件及其对p型GaN欧姆接触形成的影响。经证实，550℃退火后，过量的Mg掺杂可以有效增强Ni/Au与p-GaN的接触。当Mg和Ga气源之间的流量比为6.4%且层宽度为25 nm时，在850℃下生长的覆盖层在比接触电阻率（ρc）方面表现出最佳的欧姆接触特性。该温度远低于Mg掺杂GaN的常规生长温度，表明深能级缺陷感应带可能在覆盖层的导电中发挥重要作用。
The growth condition of thin heavily Mg-doped GaN capping layer and its effect on ohmic contact formation of p-type GaN were investigated. It is confirmed that the excessive Mg doping can effectively enhance the Ni/Au contact to p-GaN after annealing at 550 °C. When the flow rate ratio between Mg and Ga gas sources is 6.4% and the layer width is 25 nm, the capping layer grown at 850 °C exhibits the best ohmic contact properties with respect to the specific contact resistivity (ρc). This temperature is much lower than the conventional growth temperature of Mg-doped GaN, suggesting that the deep-level-defect induced band may play an important role in the conduction of capping layer.
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