Ge/Si(111)-7×7ヘテロエピタキシャル成長におけるストレスその場測定
Ge/Si(111)-7×7ヘテロエピタキシャル成長におけるストレスその場測定
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Ge/Si(111)-7×7异质外延生长中的原位应力测量
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et. al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
朝岡 秀人;et. al.
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Ge-Si(111) 上 5 x 5 表面重建的隧道图像。
DOI：
10.1103/physrevb.32.8455
发表时间：
1985
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
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作者：
Becker;Golovchenko;Swartzentruber
通讯作者：
Swartzentruber
GeSi(111)-5 × 5 表面中的随机吸附原子高度
影响因子：
1.9
作者：
T. Fukuda
通讯作者：
T. Fukuda
Avrami 模型框架中的狄拉克 δ 成核：变形 Si(100) 上金刚石生长的情况
影响因子：
1.9
作者：
R. Polini;M. Tomellini;M. Fanfoni;F. Normand
通讯作者：
F. Normand
Si(111) 上二硅化铁的生长：扫描隧道显微镜研究
影响因子：
1.9
作者：
N. Motta;A. Sgarlata;G. Gaggiotti;F. Patella;A. Balzarotti;M. Crescenzi
通讯作者：
M. Crescenzi
四面体半导体的价态和导带态密度：理论和实验。
DOI：
10.1103/physrevb.40.9644
发表时间：
1989
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
Chelikowsky;Wagener;Weaver;Jin
通讯作者：
Jin