Thermoelectric properties of Ge-doped Bi85Sb15 alloys at low temperatures
Thermoelectric properties of Ge-doped Bi85Sb15 alloys at low temperatures
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Ge掺杂Bi85Sb15合金的低温热电性能
DOI：
10.1016/j.jpcs.2013.12.006
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发表时间：
2014-04
影响因子：
4
通讯作者：
Laifeng Li
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhen Chen;Yemao Han;Min Zhou;Chunmei Song;Rongjin Huang;Yuan Zhou;Laifeng Li
通过机械合金化和无压烧结制备块状多晶 Bi85Sb15−xGex(x=0, 0.5, 1, 1.5, 2) 复合材料。在 77–300 K 的温度范围内研究了热电性能。结果表明，增加 Ge 浓度会导致塞贝克系数从负变为正。此外，还发现塞贝克系数的最大值可以通过Ge浓度精确控制。 140 K 时最大无量纲品质因数达到 0.07。这些结果表明，可以通过使用 Ge 掺杂方法制备 p 型 Bi-Sb 合金。
Bulk polycrystalline Bi85Sb15−xGex(x=0, 0.5, 1, 1.5, 2) composites were prepared by mechanical alloying followed by pressureless sintering. The thermoelectric properties were studied in the temperature range of 77–300 K. The results indicate that increasing the Ge concentration causes the Seebeck coefficient to change sign from negative to positive. Moreover, it is found that the maximum value of the Seebeck coefficient can be precisely controlled with the Ge concentration. The maximum dimensionless figure of merit reaches 0.07 at 140 K. These results suggest that the preparation of p-type Bi–Sb alloys is possible by using the Ge-doping approach.
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影响因子：
3.2
作者：
Sunglae Cho;A. DiVenere;G. Wong;J. Ketterson;J. Meyer
通讯作者：
Sunglae Cho;A. DiVenere;G. Wong;J. Ketterson;J. Meyer
影响因子：
3.5
作者：
P. P. Hankare-P.;V. Vader;U. Sankpal;L. Gavali;R. Sasikala;I. Mulla
通讯作者：
P. P. Hankare-P.;V. Vader;U. Sankpal;L. Gavali;R. Sasikala;I. Mulla
影响因子：
56.9
作者：
Hsu, KF;Loo, S;Kanatzidis, MG
通讯作者：
Kanatzidis, MG
影响因子：
6.2
作者：
Y. Hor;R. Cava
通讯作者：
Y. Hor;R. Cava
影响因子：
3.5
作者：
J. Liu;H. Wang;W. Su;C. Wang;J. L. Zhang;L. Mei
通讯作者：
J. Liu;H. Wang;W. Su;C. Wang;J. L. Zhang;L. Mei